STD7NM80

STMicroelectronics
511-STD7NM80
STD7NM80

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-Ch, 800V-0.95ohms Mdmesh 6.5A

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 840

Tồn kho:
840 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$4.44 $4.44
$2.96 $29.60
$2.12 $212.00
$1.96 $980.00
$1.74 $1,740.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$1.56 $3,900.00
10,000 Báo giá
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
N-Channel
1 Channel
800 V
6.5 A
1.05 Ohms
- 30 V, 30 V
4 V
18 nC
- 55 C
+ 150 C
90 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 10 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 4 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8 ns
Sê-ri: STD7NM80
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 35 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 20 ns
Đơn vị Khối lượng: 330 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs

STMicroelectronics' MDMesh™ N-Channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market. Key features include low input capacitance and gate charge, low gate input resistance, and best RDS(on)*Qg in the industry.