STGB30H60DFB

STMicroelectronics
511-STGB30H60DFB
STGB30H60DFB

Nsx:

Mô tả:
IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 30 A high speed HB series IGBT

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 79

Tồn kho:
79
Có thể Giao hàng Ngay
Đang đặt hàng:
1,000
Dự kiến 04/05/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:
15
Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$3.29 $3.29
$2.13 $21.30
$1.57 $157.00
$1.33 $665.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$1.13 $1,130.00
$1.07 $2,140.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm: IGBT
RoHS:  
Si
D2PAK-3
SMD/SMT
Single
600 V
1.55 V
- 20 V, 20 V
60 A
260 W
- 55 C
+ 175 C
STGB30H60DFB
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa: 60 A
Dòng rò cực cổng-cực phát: +/- 250 nA
Loại sản phẩm: IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: IGBTs
Đơn vị Khối lượng: 1.380 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

HB Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics HB Trench Gate Field-Stop IGBTs use an advanced proprietary trench gate and field stop structure. These HB devices represent a compromise of conduction and switching losses to maximize frequency converter efficiency. A slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.