Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

STGWA25M120DF3

Name: STMicroelectronics STGWA25M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA25M120DF3
Price: 5.24 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-STGWA25M120DF3

Số nhà sản xuất:

STGWA25M120DF3

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 25 A low loss

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Bảng dữ liệu:

STGWA25M120DF3 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics STGWA25M120DF3

Có hàng: 1,218

Tồn kho:: 1,218 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$5.24	$5.24
	$2.95	$29.50
	$2.07	$207.00
	$1.94	$1,164.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	IGBT
RoHS:
Công nghệ:	Si
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-3
Kiểu gắn:	Through Hole
Cấu hình:	Single
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.85 V
Điện áp cực cổng cực phát tối đa:	- 20 V, 20 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	50 A
Pd - Tiêu tán nguồn:	375 W
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Sê-ri:	M
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
IC dòng cực góp liên tục tối đa:	25 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	250 nA
Loại sản phẩm:	IGBT Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	600
Danh mục phụ:	IGBTs
Đơn vị Khối lượng:	38 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

STGWA25M120DF3 Bảng dữ liệu (PDF)

Application Notes

PCN

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.