TK063N60Z1,S1F

Toshiba
757-TK063N60Z1S1F
TK063N60Z1,S1F

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS?

Tuổi thọ:
Sản phẩm Mới:
Mới từ nhà sản xuất này.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 73

Tồn kho:
73 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$6.62 $6.62
$4.99 $49.90
$3.17 $380.40
$2.78 $1,417.80

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Toshiba
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
37 A
63 mOhms
30 V
4 V
56 nC
+ 150 C
242 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: Toshiba
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 5 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 50 ns
Số lượng Kiện Gốc: 30
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 105 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 84 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.