TK190A65Z,S4X

Toshiba
757-TK190A65ZS4X
TK190A65Z,S4X

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 96

Tồn kho:
96 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$4.20 $4.20
$2.16 $21.60
$1.90 $190.00
$1.60 $800.00
$1.50 $1,500.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Toshiba
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
15 A
190 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
25 nC
- 55 C
+ 150 C
40 W
Enhancement
Tube
Nhãn hiệu: Toshiba
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 4 ns
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 19 ns
Sê-ri: DTMOS VI
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 66 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 38 ns
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs

Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs are designed to operate in switching power supplies. These N-channel MOSFETs feature high-speed switching properties with lower capacitance. The Toshiba 650V DTMOS-VI Superjunction MOSFETs silicon MOSFETs offer a typical 0.092Ω to 0.175Ω low drain-source on-resistance. These devices feature a drain-source voltage of 10V.