Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

WST41H0D-GP4

Name: MACOM WST41H0D-GP4
Brand: MACOM
SKU: 937-WST41H0D-GP4
Price: 364.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

937-WST41H0D-GP4

Số nhà sản xuất:

WST41H0D-GP4

Nsx:

MACOM

Mô tả:

GaN FETs Die, DC - 4 GHz, 120W, G28V5-1C

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

WST41H0D-GP4 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về MACOM WST41H0D-GP4

Cảnh báo Vận chuyển:

Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.

Có hàng: 50

Tồn kho:: 50 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 10 Nhiều: 10

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$364.05	$3,640.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	MACOM
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
Hạn chế Vận chuyển	Sản phẩm này có thể yêu cầu chứng từ bổ sung để xuất khẩu từ Hoa Kỳ.
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	84 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	6 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	60 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 2 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	- 2 V
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 85 C
Nhãn hiệu:	MACOM
Cấu hình:	Single
Độ khuếch đại:	17.5 dB
Tần số làm việc tối đa:	4 GHz
Tần số làm việc tối thiểu:	DC
Công suất đầu ra:	223.87 W
Sản phẩm:	GaN FETs
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN, SiC
Loại:	GaN on SiC Transistor

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

WST41H0D-GP4 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.