X2-Class IXYS MOSFET

Kết quả: 71
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói
IXYS MOSFETs TO252 650V 8A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
29Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 4A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
121Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Bảng dữ liệu
185Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 700V 4A N-CH X4CLASS
Bảng dữ liệu
95Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 30 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs MOSFET 650V/22A Ultra Junction X2
Bảng dữ liệu
41Có hàng
250Dự kiến 23/09/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 160 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 38 nC - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
42Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
208Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
950Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 300
Nhiều: 50

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 185 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO252 650V 2A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
140Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 2 A 2.3 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4.3 nC - 55 C + 150 C 55 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
1,470Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/60A TO-268HV
Bảng dữ liệu
780Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3) N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
1,550Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 40 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
850Hàng nhà máy có sẵn
Thêm Thông tin Sẵn có
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs DiscMSFTAuto-Ultra Junc X2Class TO-247AD
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Tube
IXYS MOSFETs 650V/12A TO-247
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXTY4N65X2 TRL
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 41 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 650 V 4 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 3 V - 55 C + 150 C 80 W Reel
IXYS MOSFETs TO263 650V 24A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 41 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 76 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 41 Tuần
Tối thiểu: 350
Nhiều: 70

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 500 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO3P 650V 34A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-3PFP-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 54 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs TO263 650V 34A N-CH X2CLASS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 50

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 55 C + 150 C 540 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 650V/18A TO-247
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube