Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

TSM600NA25CIT C0G

Name: Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-TSM600NA25CITC0G
Price: 4.53 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

821-TSM600NA25CITC0G

Số nhà sản xuất:

TSM600NA25CIT C0G

Nsx:

Taiwan Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs

Tuổi thọ:

Mới tại Mouser

Bảng dữ liệu:

TSM600NA25CIT C0G Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT C0G

Có hàng: 3,999

Tồn kho:: 3,999 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$4.53	$4.53
	$3.02	$30.20
	$2.16	$216.00
	$2.00	$1,000.00
	$1.99	$3,980.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Taiwan Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	ITO-220TL-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	250 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	22 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	60 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	71 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	78 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Tube
Nhãn hiệu:	Taiwan Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	25 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	16 ns
Số lượng Kiện Gốc:	2000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	78 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	16 ns
Mã Bí danh:	TSM600NA25CIT
Đơn vị Khối lượng:	1.584 g

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.