TKx Silicon N-Channel MOSFETs

Toshiba TKx Silicon N-Channel MOSFETs are available in U-MOSX-H and DTMOSVI types and offer exceptional performance characteristics. These MOSFETs are designed with fast reverse recovery times that enhance efficiency in high-speed switching applications by reducing the delay between the turn-off and turn-on states. The low drain-source on-resistance [RDS(on)] contributes to minimal power losses and improved thermal management, making them ideal for applications requiring high current handling with low energy dissipation.

Kết quả: 20
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Đóng gói
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
50Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Bảng dữ liệu
1,996Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
2,000Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
1,997Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
2,000Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
1,996Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
1,997Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
53Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
47Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH
Bảng dữ liệu
85Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
Bảng dữ liệu
350Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.4A N-CH
Bảng dữ liệu
294Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
Bảng dữ liệu
284Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 1.1A N-CH
Bảng dữ liệu
197Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
113Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
30Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
20Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Bảng dữ liệu
3Có hàng
150Dự kiến 17/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
Bảng dữ liệu
15Có hàng
350Dự kiến 05/10/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFETs TO220 150V 2.2A N-CH
Bảng dữ liệu
450Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube