Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

GC05MPS33J-TR

Name: Navitas Semiconductor GC05MPS33J-TR
Brand: GeneSiC Semiconductor
SKU: 905-GC05MPS33J-TR
Price: 18.08 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

905-GC05MPS33J-TR

Số nhà sản xuất:

GC05MPS33J-TR

Nsx:

GeneSiC Semiconductor

Mô tả:

SiC Schottky Diodes 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

GC05MPS33J-TR Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J-TR

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 800 Nhiều: 800

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
	$18.08	$14,464.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Navitas Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	Đi-ốt SiC SCHOTTKY
RoHS:
Sê-ri:	SiC Schottky MPS
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	GeneSiC Semiconductor
Loại sản phẩm:	SiC Schottky Diodes
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Diodes & Rectifiers

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GC05MPS33J-TR Bảng dữ liệu (PDF)

USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

3300V 5A SiC Schottky MPS Diode

GeneSiC Semiconductor 3300V 5A SiC Schottky MPS Diode is a new generation of SiC diode with improved surge and avalanche robustness. This SiC Schottky MPS diode incorporates enhanced forward and switching characteristics with 3300V Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM). The Schottky diode offers a continuous forwarding current (I_F) of 8A and a total capacitative charge (Q_c) of 43nC. This 3300V diode drives with low thermal resistance, temperature-independent fast switching, and low leakage current. The SiC Shottky MPS diode comes with advantages like optimal price-performance, increased price-performance and system power density, and reduced cooling requirements. Typical applications include medical imaging, oil drilling, geothermal instrumentation, high-frequency rectifiers, high voltage multipliers, and high voltage switching.