NCV5700DR2G

onsemi
863-NCV5700DR2G
NCV5700DR2G

Nsx:

Mô tả:
Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 2,807

Tồn kho:
2,807 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
23 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$1.60 $1.60
$1.18 $11.80
$1.07 $26.75
$0.946 $94.60
$0.89 $222.50
$0.856 $428.00
$0.767 $767.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
$0.744 $1,860.00
$0.742 $5,565.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
onsemi
Danh mục Sản phẩm: Bộ điều hợp cổng
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
SOIC-16
1 Driver
1 Output
7.8 A
0 V
24 V
Inverting, Non-Inverting
9.2 ns
7.9 ns
- 40 C
+ 125 C
NCV5700
AEC-Q100
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: onsemi
Thời gian trễ khi tắt tối đa: 75 ns
Thời gian trễ khi bật tối đa: 75 ns
Dòng cấp nguồn vận hành: 900 uA
Điện áp đầu ra: 5 V
Pd - Tiêu tán nguồn: 900 mW
Loại sản phẩm: Gate Drivers
Tắt: Shutdown
Số lượng Kiện Gốc: 2500
Danh mục phụ: PMIC - Power Management ICs
Công nghệ: Si
Đơn vị Khối lượng: 142 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542310302
ECCN:
EAR99

NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver

onsemi NCV5700 High-Current IGBT Gate Driver features a high-current output of +4/-6A at IGBT Miller Plateau Voltages. The NCV5700 is a high-performance stand-alone IGBT driver for high-power applications. These applications include solar inverters, motor control, and uninterruptible power supplies. This device also eliminates many external components. Device protection features include Active Miller Clamp, accurate UVLO, EN input, DESAT protection and Active Low FAULT output. The driver has an accurate 5.0V output and separate high and low (VOH and VOL) driver outputs for system design convenience. A wide voltage range of bias supplies, including unipolar and bipolar voltages, are accommodated. The NCV5700 is available in a 16-pin SOIC package.

Pairing Gate Drivers with EliteSiC MOSFETs

Energy Infrastructure applications like EV charging, energy storage, Uninterruptible Power Systems (UPS), and solar are pushing system power levels to hundreds of kilowatts and even megawatts. These high-power applications employ half bridge, full bridge, and 3-phase topologies duty cycling up to six switches for inverters and BLDC. Depending on the power level and switching speeds, system designers look to various switch technologies, including silicon, IGBTs, and SiC, to best fit application requirements.