650V, 1200V, & 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes

GeneSiC Semiconductor 650V, 1200V, and 1700V SiC Schottky MPS™ Diodes provide low standby power losses and improved circuit efficiency. The 650V SiC Diodes have a forward current range of 6A to 20A. The 1200V SiC Diodes have a forward current range of 1A to 200A. The 1700V SiC Diodes have a forward current range of 5A to 50A. 

Kết quả: 28
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

SMD/SMT TO-252-2 Single 10 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Reel
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 20 A 650 V 1.25 V 70 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube
GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

SMD/SMT TO-247-2 Single 16 A 650 V 1.25 V 56 A 10 uA - 55 C + 175 C SiC Schottky MPS Tube