PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC20120x Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The devices feature temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an excellent figure-of-merit (QC x VF).

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Nexperia SiC Schottky Diodes PSC20120J/SOT8018/TO263-2L
Bảng dữ liệu
800Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape
Nexperia SiC Schottky Diodes PSC20120L/SOT8022/TO247-2L
Bảng dữ liệu
450Dự kiến 28/06/2027
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-2 Single 20 A 1.2 kV 1.5 V 710 A 1 uA - 55 C + 175 C