Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Đóng gói / Vỏ bọc
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
12Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules IGBT Module 1400A 1700V
Bảng dữ liệu
4Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 9.55 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
17Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
Bảng dữ liệu
112Có hàng
90Dự kiến 11/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 1.4 kA 400 nA 7.65 kW PRIME3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FS450R17OE4
Infineon Technologies IGBT Modules IGBT Module 450A 1700V
Bảng dữ liệu
1Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Modules 6-Pack 1.7 kV 1.95 V 630 A 400 nA 2.4 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
20Dự kiến 28/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Không
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 10 A PIM IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 10 A 100 nA AG-EASY1B-2 - 40 C + 175 C Tray