TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.

Kết quả: 11
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 118 A 28 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V 373 nC - 55 C + 175 C 715 W Enhancement DIF120SIC028
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, N, 150A, 650V, 15m?, 175DegC
Bảng dữ liệu
446Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 150 A 15 mOhms - 4 V, + 15 V 4 V 236 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC015
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 49 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 128 nC - 55 C + 175 C 550 W Enhancement DIW065SIC049
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
447Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 36 A 80 mOhms - 5 V, + 18 V 4 V 75 nC - 55 C + 175 C 175 W Enhancement DIW065SIC080
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs 1200V TO-247-4L, N, 120A, 1200V, 22.3m?, 175 Deg C
Bảng dữ liệu
438Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-4L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Bảng dữ liệu
450Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIF120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
435Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement DIF120SIC053
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
448Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs SiC MOSFET, TO-247-3L, 0, 120A, 1200V, 0.0223?, Automotive
Bảng dữ liệu
448Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 120 A 22.3 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 269 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement DIW120SIC022-AQ
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
701Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 125 A 23 mOhms - 4 V, + 18 V 2.9 V 121 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement
Diotec Semiconductor SiC MOSFETs
Bảng dữ liệu
445Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 53 mOhms - 4 V, + 18 V 4 V 121 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement