SIR680ADP-T1-RE3

Vishay Semiconductors
78-SIR680ADP-T1-RE3
SIR680ADP-T1-RE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SIR680ADP-T1-RE3

Có hàng: 6,062

Tồn kho:
6,062 Có thể Giao hàng Ngay
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ †
$3.13 $3.13
$2.03 $20.30
$1.41 $141.00
$1.18 $590.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$1.00 $3,000.00
$0.942 $8,478.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAK-SO-8
N-Channel
1 Channel
80 V
125 A
2.88 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
43 nC, 55 nC
- 55 C
+ 150 C
104 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 9 ns, 12 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 68 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 8 ns, 15 ns
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: N - Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 30 ns, 30 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns, 19 ns
Đơn vị Khối lượng: 506.600 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET

Vishay SiR680ADP N-Channel (D-S) MOSFET is a TrenchFET® Gen IV power MOSFET featuring low RDS - Qg Figure Of Merit (FOM). This MOSFET is tuned for the lowest RDS to Qoss FOM and 100% Rg and UIS tested. The SiR680ADP MOSFET operates within a -55°C to +150°C temperature range. This MOSFET features an 80V drain-source voltage, ±20V gate-source voltage, and 125A pulse drain current. The SiR680ADP MOSFET comes in a PowerPAK SO-8 package. This MOSFET is ideal for synchronous rectification of primary side switches, DC/DC converters, OR-ing, power supplies, and motor drive control.

TrenchFET® Gen IV MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen IV MOSFETs offer industry-low on-resistance and low total gate charge in the PowerPAK® SO-8 and 1212-8S packages. These TrenchFET Gen IV MOSFETs feature extremely low RDS(on) that translates to lower conduction losses for reduced power consumption. The TrenchFET MOSFETs also come with space-saving PowerPAK® 1212-8 packages with similar efficiency with a third of its size. Typical applications include high-power DC/DC converters, synchronous rectification, solar micro-inverters, and motor drive switches.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.