TRSx SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSx SiC Schottky Barrier Diodes are a 3rd generation chip design with a repetitive peak reverse voltage (VRRM) rating of 1200V. The forward DC current rating (IF(DC)) for the TRS30N120HB is 15A per leg or 30A for both legs, and the TRS40N120HB is 20A per leg or 40A for both legs. These devices are available in a standard TO-247 package. Toshiba TRSx Sic Schottky Barrier Diodes are ideal in power factor correction, solar inverters, uninterruptible power supplies, and DC-DC converter applications.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối đa
Toshiba SiC Schottky Diodes 1200 V/30 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Bảng dữ liệu
30Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 82 A 1.2 kV 1.27 V 1.88 kA 1.4 uA + 175 C
Toshiba SiC Schottky Diodes 1200 V/40 A SiC Schottky Barrier Diode, TO-247
Bảng dữ liệu
24Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Common Cathode 102 A 1.2 kV 1.27 V 2.16 kA 1.8 uA + 175 C