IXBH42N170 & IXBT42N170 IGBT Power Transistors

IXBH42N170 and IXBT42N170 IGBT Power Transistors are BIMOSFET™ Monolithic Bipolar MOS Transistors featuring high blocking voltage, fast switching, a high current handling capability, and MOS Gate turn-on for drive simplicity. IXYS IGBT Power Transistors are useful for a wide variety of applications, including AC motor speed control, uninterruptible power supplies (UPS), switched-mode and resonant-mode power supplies, capacitor discharge circuits, laser generators, AC switches, and pulser circuits.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Sê-ri
Đóng gói
IXYS IGBTs BIMOSFET 1700V 75A
Bảng dữ liệu
3,229Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBT42N170 Tube
IXYS IGBTs BIMOSET 42A 1700V
Bảng dữ liệu
297Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 6 V - 20 V, 20 V 42 A 357 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube

IXYS IGBTs 1700V 75A
Bảng dữ liệu
302Có hàng
450Dự kiến 27/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 360 W - 55 C + 150 C IXBH42N170 Tube