Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

BFR 193 E6327

Name: Infineon BFR 193 E6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BFR193E6327
Price: 0.13 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-BFR193E6327

Số nhà sản xuất:

BFR 193 E6327

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW

Bảng dữ liệu:

BFR 193 E6327 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies BFR 193 E6327

Sẵn có

Tồn kho:: Không Lưu kho

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 26 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 15000 Nhiều: 15000

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.132	$1,980.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Transitor lưỡng cực RF
RoHS:
Sê-ri:	BFR193
Loại transistor:	Bipolar
Công nghệ:	Si
Cực tính transistor:	NPN
Tần số vận hành:	8 GHz
Độ lợi cực góp/cực gốc DC hfe Tối thiểu:	70
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	12 V
Điện áp cực phát-cực gốc VEBO:	2 V
Dòng cực góp liên tục:	80 mA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 65 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Cấu hình:	Single
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SOT-23
Tiêu chuẩn:	AEC-Q100
Đóng gói:	Reel
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Dòng cực góp DC tối đa:	80 mA
Pd - Tiêu tán nguồn:	580 mW
Loại sản phẩm:	RF Bipolar Transistors
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Mã Bí danh:	BFR193E6327XT SP000011056 BFR193E6327HTSA1
Đơn vị Khối lượng:	60 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

BFR 193 E6327 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.