SIA433EDJ-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA433EDJ-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70

Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 4,656

Tồn kho:
4,656 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
3 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:
Đóng gói:
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™
$0.67 $0.67
$0.61 $6.10
$0.41 $41.00
$0.344 $172.00
$0.295 $295.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
$0.266 $798.00
$0.244 $1,464.00
$0.225 $2,025.00
† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™.

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Vishay
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
15 mOhms
- 12 V, 12 V
1.2 V
75 nC
- 55 C
+ 150 C
19 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Nhãn hiệu: Vishay Semiconductors
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 3.5 us
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 35 S
Loại sản phẩm: MOSFETs
Thời gian tăng: 0.6 us
Sê-ri: SIA
Số lượng Kiện Gốc: 3000
Danh mục phụ: Transistors
Loại transistor: 1 P-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 10 us
Thời gian trễ khi bật điển hình: 0.3 us
Mã Bí danh: SIA433EDJ-GE3
Đơn vị Khối lượng: 41 mg
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET

Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET® Gen III MOSFET offers low on-resistance and operates in a -55°C to +150°C temperature range. This power MOSFET is available in a single-configuration PowerPAK® SC-70 package size. The device provides an on-resistance rating that accommodates a wide range of applications. Other features include built-in ESD protection with a Zener diode. Vishay / Siliconix SiA433EDJ 20V P-Channel TrenchFET Gen III MOSFET is ideal for applications that include portable devices, load switches, battery switches, and charger switches.

TrenchFET Gen III P-Channel Power MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs feature low on-resistance, low-voltage drops, increased efficiency, and battery time. These power MOSFETs are available in a variety of package sizes, including micro-foot, PowerPAK®, and TSOP-6. Vishay / Siliconix TrenchFET® Gen III P-Channel Power MOSFETs offer on-resistance ratings that accommodate a wide range of applications. Typical applications include load switches, adapter switches, battery switches, DC motors, and charger switches.

Industrial Power Solutions

Vishay Industrial Power Solutions feature a broad selection of semiconductor and passive components for industrial power supply applications. These products offer access to advanced technology and reliable components essential for creating robust, durable, and efficient industrial products. The Vishay product portfolio for industrial power supplies includes power MOSFETs, power ICs, rectifiers, diodes, capacitors, resistors, and inductors. 

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.