Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices

onsemi Wide Bandgap EliteSiC (Silicon Carbide) Devices provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size and cost. The EliteSiC portfolio includes 650V, 1200V, and 1700V diodes, 650V and 1200V IGBT and SiC diode Power Integrated Modules (PIMs), 1200V MOSFETs and SiC MOSFET drivers, and AEC-Q100 qualified devices.

Các loại Bộ Bán Dẫn
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 52
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS

onsemi SiC Schottky Diodes Silicon Carbide Schottky Diode
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 10 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500


onsemi SiC Schottky Diodes 1200V 40A AUTO SIC SBD
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1