CoolMOS™ Superjunction MOSFETs

Infineon CoolMOS™ Power Transistors provide all the benefits of a fast-switching SJ MOSFET. Combined with the generation CoolMOS 7, Infineon continues to set price, performance, and quality benchmarks.

Kết quả: 191
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Tiêu chuẩn
Thương hiệu
Đóng gói
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
5,500Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
906Dự kiến 23/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
1,601Dự kiến 14/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
1,000Dự kiến 02/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
915Dự kiến 22/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
350Dự kiến 11/06/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
227Dự kiến 03/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 90 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 500
Nhiều: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 21 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 8 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 13 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFETs HIGH POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 18 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Rulo cuốn: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs LOW POWER_NEW
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 19 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube