FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module

Infineon Technologies FF450R33T3E3/_B5 XHP™ 3 IGBT Module is a 3.3kV, 450A Dual Insulated Gate Bipolar Transistor Module with TRENCHSTOP™ IGBT3 and an emitter controlled diode. Designed specifically for high-power operations, the highly integrated XHP IGBT Modules cover the full-voltage range of IGBT chips from 3.3kV to 6.5kV. Sharing the same compact 140mm x 100mm x 40mm dimensions, these IGBT Modules allow for scalable design with best-in-class reliability and high power density. The FF450R33T3E3B5 IGBT module features enhanced isolation of 10.4kV.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Đóng gói / Vỏ bọc
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 3300 V, 450 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
4Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-3 - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules XHP HV
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 13 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 3.3 kV 2.5 V 450 A 400 nA 1 MW AG-XHP100-6 - 40 C + 150 C Tray