Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

DMTH64M2LPDW-13

Name: Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-DMTH64M2LPDW-13
Price: 2.46 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

621-DMTH64M2LPDW-13

Số nhà sản xuất:

DMTH64M2LPDW-13

Nsx:

Diodes Incorporated

Mô tả:

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

DMTH64M2LPDW-13 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW-13

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 2,500

Dự kiến 27/03/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 24

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$2.46	$2.46
	$1.58	$15.80
	$1.08	$108.00
	$0.893	$446.50
	$0.786	$786.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 2500)
	$0.774	$1,935.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Diodes Incorporated
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerDI5060-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	2 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	60 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	90 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	7.8 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.2 V
Qg - Điện tích cực cổng:	48 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	74 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	Diodes Incorporated
Cấu hình:	Dual
Thời gian giảm:	38 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	22 ns
Sê-ri:	DMTH64M2LPDW
Số lượng Kiện Gốc:	2500
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	55 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	5.2 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

DMTH64M2LPDW-13 Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

TARIC:: 8541290000

DMTH64M2LPDW Dual N-Channel E-Mode MOSFET

Diodes Incorporated DMTH64M2LPDW Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. DMTH64M2LPDW integrates two MOSFETs in a single PowerDI^® 5mm x 6mm package, offering compact size and excellent thermal performance. Each channel features a low on-resistance [R_DS(on)] and high current capability, ideal for synchronous rectification in DC-DC converters, power management in computing systems, and battery protection circuits. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current up to 90A, this Diodes Inc device ensures fast switching and low conduction losses. The rugged design, combined with low gate charge and high avalanche energy rating, provides reliable operation in demanding environments such as server motherboards, graphics cards, and portable electronics.