Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Thương hiệu
Đóng gói
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Bảng dữ liệu
442Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Bảng dữ liệu
22Có hàng
1,450Dự kiến 27/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFETs IXFA3N120 TRL
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 800
Nhiều: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFETs IXFA3N120 TRR
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 32 Tuần
Tối thiểu: 800
Nhiều: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 25
Nhiều: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
Bảng dữ liệu
Không Lưu kho
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 38A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 39 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFETs 600V 44A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube