SCT4013DRC15

ROHM Semiconductor
755-SCT4013DRC15
SCT4013DRC15

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCT4013DRC15

Có hàng: 402

Tồn kho:
402 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$34.76 $34.76
$26.67 $266.70
$25.64 $2,564.00
$25.62 $11,529.00
900 Báo giá

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
750 V
105 A
16.9 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
170 nC
+ 175 C
312 W
Enhancement
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 17 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 32 S
Đóng gói: Tube
Sản phẩm: MOSFET's
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 32 ns
Số lượng Kiện Gốc: 450
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 82 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 17 ns
Mã Bí danh: SCT4013DR
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

SCT4013DR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4013DR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a high-performance device designed for demanding power electronics applications. Featuring a drain-source voltage rating of 750V and a 105A continuous drain current (at +25°C), this device offers exceptional efficiency and thermal performance. The low on-resistance of 13mΩ (typical) and fast switching characteristics make the ROHM SCT4013DR ideal for high-frequency applications such as power supplies, inverters, and motor drives. The SCT4013DR also benefits from the inherent advantages of SiC technology, including a high breakdown voltage, low switching losses, and superior thermal conductivity, which contribute to reduced system size and improved reliability. Packaged in a TO-247-4L case, the MOSFET supports robust thermal management and ease of integration into existing designs.

750V N-Channel SiC MOSFETs

ROHM Semiconductor 750V N-Channel SiC MOSFETs can boost switching frequency, thereby decreasing the volume of capacitors, reactors, and other components required. These SiC MOSFETs are available in TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, and TO-247-4L packages. The devices have static drain-source on-state resistance [RDS(on)] (typ.) rating from 13mΩ to 65mΩ and continuous drain (ID) and source current (IS) (TC=25°C) of 22A to 120A. These ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFETs offer high withstand voltages, low on-resistance, and high-speed switching characteristics, leveraging the unique attributes of SiC technology.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.