Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

RA1C030LDT5CL

Name: ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RA1C030LDT5CL
Price: 0.49 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-RA1C030LDT5CL

Số nhà sản xuất:

RA1C030LDT5CL

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 20V(Vdss), 3.0A(Id), (2.5V Drive)

Bảng dữ liệu:

RA1C030LDT5CL Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor RA1C030LDT5CL

Có hàng: 26,806

Tồn kho:: 26,806 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$0.49	$0.49
	$0.389	$3.89
	$0.249	$24.90
	$0.188	$94.00
	$0.152	$152.00
	$0.135	$675.00
	$0.112	$1,120.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 15000)
	$0.111	$1,665.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	WLCSP-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	3 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	140 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 200 mV, 7 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	1.5 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 50 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	1 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	4 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	6 ns
Số lượng Kiện Gốc:	15000
Danh mục phụ:	Transistors
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	15 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	6 ns
Mã Bí danh:	RA1C030LD

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

RA1C030LDT5CL Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RA1C030LD WLCSP MOSFET

ROHM Semiconductor RA1C030LD WLCSP MOSFET is an N-channel MOSFET designed with a low on-resistance and high power package. This device features a 20V_DSS drain-source voltage, 3A continuous drain current, and 1W power dissipation. The RA1C030LD MOSFET offers 1.8V drive voltage, Electro-Static Discharge (ESD) protection up to 200V (MM), and up to 2kV (HBM). This MOSFET is suitable for switching circuits, single-cell battery applications, and mobile applications. The RA1C030LD MOSFET is Pb-free, halogen-free, and RoHS-compliant device.