Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 1.05 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

78-SI3129DV-T1-GE3

Số nhà sản xuất:

SI3129DV-T1-GE3

Nsx:

Vishay / Siliconix

Mô tả:

MOSFETs TSOP6 P-CH 80V 3.8A

Bảng dữ liệu:

SI3129DV-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay / Siliconix SI3129DV-T1-GE3

Có hàng: 161,619

Tồn kho:: 161,619 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$1.05	$1.05
	$0.659	$6.59
	$0.431	$43.10
	$0.333	$166.50
	$0.301	$301.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.256	$768.00
	$0.227	$1,362.00
	$0.224	$2,016.00
	$0.216	$5,184.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TSOP-6
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	5.4 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	82.7 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	12 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	4.2 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	TrenchFET
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Vishay / Siliconix
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	12 ns
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	8 ns
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	25 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	15 ns
Đơn vị Khối lượng:	20 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SI3129DV-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Technical Resources

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET

Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V (D-S) MOSFET is 100% R_g tested in a TSOP-6 single package. The Si3129DV MOSFET offers a ±20V gate-source voltage and an -55°C to 150°C operating junction temperature range. The Vishay / Siliconix Si3129DV P-Channel 80V MOSFET is designed for power management for portable and consumer applications.