IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

Kết quả: 10
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
17Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 2300 V, 1800 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
2Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 300 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
15Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 300 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
38Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
22Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
20Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
Không
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules PP IHM I
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 3
Nhiều: 3

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 750 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian sản xuất của nhà máy: 14 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.7 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray