R8002ANJ & R8005ANJ & R8008ANJ Power MOSFETs

ROHM Semiconductor R8002ANJ and R8005ANJ and R8008ANJ Power MOSFETs feature low on-resistance and fast switching. The MOSFETs are suitable for switching applications. The devices feature low on-resistance, have a fast switching speed, and a gate-source voltage (VGSS) guaranteed to be ±30V.

Kết quả: 3
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cực tính transistor
Số lượng kênh
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn
Id - Dòng cực máng liên tục
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn
Qg - Điện tích cực cổng
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Pd - Tiêu tán nguồn
Chế độ kênh
Đóng gói
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Bảng dữ liệu
1,986Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Bảng dữ liệu
1,919Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Bảng dữ liệu
826Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape