RGE Field Stop Trench IGBTs

ROHM Semiconductor RGE Field Stop Trench IGBTs feature low collector-emitter saturation voltage, low switching loss, and a short circuit withstand time of 5μs. The  ROHM Semiconductor RGE IGBTs ensure reliable operation under high-stress conditions. The built-in fast and soft recovery FRD enhances efficiency, while Pb-free lead plating ensures RoHS compliance. Perfect for general inverters, Uninterruptible Power Supply (UPS) systems, power conditioners, and welders, the RGE series provides a robust solution for modern power management needs.

Kết quả: 4
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ
Đóng gói / Vỏ bọc
Kiểu gắn
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Điện áp cực cổng cực phát tối đa
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
570Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 74 A 230 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
590Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 51 A 166 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
600Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 63 A 200 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
Bảng dữ liệu
600Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 102 A 306 W - 40 C + 175 C Tube