TO-220ACG SiC Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor TO-220ACG Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) feature a reverse voltage range of 650V to 1200V and a continuous reverse current range of 1.2µA to 20.0µA. SiC technology enables these devices to maintain a low capacitive charge (QC), reducing switching loss while enabling high-speed switching operation. In addition, unlike Si-based fast-recovery diodes, where the reverse recovery time increases along with temperature, SiC devices maintain constant characteristics, resulting in better performance.

Kết quả: 10
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Bảng dữ liệu
2,719Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
Bảng dữ liệu
3,968Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
6,417Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
1,701Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Bảng dữ liệu
752Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Bảng dữ liệu
1,391Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
770Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 12A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
830Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
11Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C Tube
ROHM Semiconductor SiC Schottky Diodes SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 21 Tuần

Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C Tube