Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SIEH4800EW-T1-GE3

Name: Vishay SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIEH4800EW-T1-GE3
Price: 5.97 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

78-SIEH4800EW-T1-GE3

Số nhà sản xuất:

SIEH4800EW-T1-GE3

Nsx:

Vishay

Mô tả:

MOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SIEH4800EW-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay SIEH4800EW-T1-GE3

Có hàng: 2,765

Tồn kho:: 2,765 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 20 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$5.97	$5.97
	$4.15	$41.50
	$3.00	$300.00
	$2.98	$1,490.00
	$2.43	$7,290.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	PowerPAK-8
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	34 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	1.15 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	278 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	3.4 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	Vishay
Thời gian giảm:	30 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	150 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	40 ns
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	45 s
Thời gian trễ khi bật điển hình:	140 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SIEH4800EW-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET^® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK^® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a V_GS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.