Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

SIA429DJT-T1-GE3

Name: Vishay SIA429DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIA429DJT-T1-GE3
Price: 0.95 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

781-SIA429DJT-T1-GE3

Số nhà sản xuất:

SIA429DJT-T1-GE3

Nsx:

Vishay Semiconductors

Mô tả:

MOSFETs -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Bảng dữ liệu:

SIA429DJT-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Vishay Semiconductors SIA429DJT-T1-GE3

Có hàng: 3,210

Tồn kho:: 3,210 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$0.95	$0.95
	$0.588	$5.88
	$0.382	$38.20
	$0.293	$146.50
	$0.264	$264.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 3000)
	$0.227	$681.00
	$0.209	$1,254.00
	$0.193	$1,737.00

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Vishay
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	SC-70-6
Cực tính transistor:	P-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	20 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	12 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	20.5 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	1 V
Qg - Điện tích cực cổng:	62 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	3.5 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Thương hiệu:	TrenchFET, PowerPAK
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Nhãn hiệu:	Vishay Semiconductors
Cấu hình:	Single
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Sê-ri:	SIA
Số lượng Kiện Gốc:	3000
Danh mục phụ:	Transistors
Mã Bí danh:	SIA429DJT-GE3

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SIA429DJT-T1-GE3 Bảng dữ liệu

Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

Mã Tuân Thủ

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Phân loại nguồn gốc

Quốc gia xuất xứ:: Trung Quốc
Quốc gia lắp ráp:: Không Có sẵn
Quốc gia phân phối:: Không Có sẵn

Quốc gia có thể thay đổi tại thời điểm giao hàng.

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET^® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.