CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Central Semiconductor
610-CDM22011600LRFPS
CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Nsx:

Mô tả:
MOSFETs N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Tuổi thọ:
Đơn hàng đặc biệt từ nhà máy:
Nhận báo giá để kiểm tra giá hiện tại, tổng thời gian giao hàng và yêu cầu đặt hàng của nhà sản xuất.
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Có hàng: 353

Tồn kho:
353 Có thể Giao hàng Ngay
Số lượng lớn hơn 353 sẽ phải tuân thủ các yêu cầu đặt hàng tối thiểu.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$3.23 $3.23
$2.09 $20.90
$1.48 $148.00
$1.08 $540.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Central Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
300 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
23.05 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
UltraMOS
Tube
Nhãn hiệu: Central Semiconductor
Cấu hình: Single
Quốc gia Hội nghị: Not Available
Quốc gia phân phối: Not Available
Quốc gia xuất xứ: CN
Loại sản phẩm: MOSFETs
Số lượng Kiện Gốc: 50
Danh mục phụ: Transistors
Đơn vị Khối lượng: 2 g
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low RDS(ON) and low threshold voltage.

CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low RDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency. These devices are offered in through-hole and surface mount.