650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 Discrete Transistors feature advanced technology, meeting the demand for efficient energy applications. The Infineon Technologies 650V transistors feature a cutting-edge micro-pattern trench design for precise control and high performance. The design results in significant loss reduction, improved efficiency, and enhanced power density across various industries like string inverters, energy storage systems (ESS), EV charging, industrial UPS, and welding.

Kết quả: 28
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Công nghệ Đóng gói / Vỏ bọc Kiểu gắn Cấu hình Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa Điện áp bão hòa cực góp-cực phát Điện áp cực cổng cực phát tối đa Dòng cực góp liên tục ở 25°C Pd - Tiêu tán nguồn Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Sê-ri Đóng gói
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 121Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 207Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
479Dự kiến 02/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube