Vui lòng xác nhận lựa chọn đơn vị tiền tệ của bạn:
Đô-la Mỹ Incoterms:FCA (Điểm vận chuyển) thuế quan, phí hải quan và thuế được thu tại thời điểm giao hàng. Vận chuyển miễn phí với hầu hết các đơn hàng qua $150 (USD)
Hình ảnh chỉ để tham khảo Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm
Chia sẻ điều này
Không thể tạo ra liên kết tại thời điểm này. Vui lòng thử lại.
Silicon Carbide (SiC) Semiconductors
Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip's next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse currents for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD can be paired together for use in modules.
