Kết quả: 8
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Đóng gói / Vỏ bọc
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
24Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
19Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
11Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules
Bảng dữ liệu
3Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules
Bảng dữ liệu
3Đang đặt hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 4
Nhiều: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray