XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

Kết quả: 6
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Đóng gói / Vỏ bọc
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Bảng dữ liệu
5Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
13Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
24Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
19Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 20 Tuần
Tối thiểu: 4
Nhiều: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray