TRSxxN65FB 650V SiC Schottky Barrier Diodes

Toshiba TRSxxN65FB 650V SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are the 2nd generation Silicon Carbide (SiC) SBDs with the improved Junction Barrier-controlled Schottky-structure (JBS) chip design. These devices feature high surge current capabilities and low-loss characteristics with non-repetitive peak forward surge current ratings. The Toshiba TRSxxN65FB diodes use the TO-247 package and offer four (12A, 16A, 20A, and 24A) forward DC ratings (both legs) supporting increased equipment power. The thin wafer technology ensures low forward voltages and low switching losses. Typical applications include Power-Factor Correction (PFC), solar inverters, servers, Uninterruptible Power Supplies (UPS), communication equipment, multi-function printers, DC-DC converters, and electric vehicle power supply facilities.

Kết quả: 4
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
Cấu hình
If - Dòng thuận
Vrrm - Điện áp ngược lặp lại
Ff - Điện áp thuận
Ifsm - Dòng tăng thuận
Ir - Dòng ngược
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=16A
Bảng dữ liệu
30Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 16 A 650 V 1.6 V 130 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=12A
Bảng dữ liệu
11Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 12 A 650 V 1.6 V 104 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Bảng dữ liệu
60Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 20 A 650 V 1.6 V 158 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba SiC Schottky Diodes SCHOTTKY BARRIER DIODE TO-247 V=650 IF=24A
Bảng dữ liệu
115Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Through Hole TO-247-3 Dual Anode Common Cathode 24 A 650 V 1.6 V 184 A 600 nA + 175 C Tube