Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SGT070R70HTO

Name: STMicroelectronics SGT070R70HTO
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SGT070R70HTO
Price: 7.8 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

511-SGT070R70HTO

Số nhà sản xuất:

SGT070R70HTO

Nsx:

STMicroelectronics

Mô tả:

GaN FETs 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor

Hoàn tất Thiết kế của bạn

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

SGT070R70HTO Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về STMicroelectronics SGT070R70HTO

Có hàng: 327

Tồn kho:: 327 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Đóng gói:

Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1800)

ĐOẠN NGẮN

MouseReel™ (+$7.00)

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
Cut Tape / MouseReel™ ^†
	$7.80	$7.80
	$5.59	$55.90
	$4.88	$488.00
	$4.74	$2,370.00
	$4.65	$4,650.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1800)
	$4.53	$8,154.00
3,600	Báo giá

† $7.00 Phí MouserReel™ sẽ được thêm và tính vào giỏ hàng của bạn. Không thể hủy và gửi trả tất cả đơn hàng MouseReel™. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	STMicroelectronics
Danh mục Sản phẩm:	FET GaN
RoHS:
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-LL-11
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	700 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	26 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	70 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	2.5 V
Qg - Điện tích cực cổng:	8.5 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	231 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	STMicroelectronics
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	9 ns
Nhạy với độ ẩm:	Yes
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Đóng gói:	MouseReel
Sản phẩm:	FET
Loại sản phẩm:	GaN FETs
Thời gian tăng:	9 ns
Sê-ri:	SGT
Số lượng Kiện Gốc:	1800
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	GaN
Loại:	PowerGaN Transistor
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	7 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	10 ns
Đơn vị Khối lượng:	697 mg

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SGT070R70HTO Bảng dữ liệu (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor

STMicroelectronics SGT070R70HTO E-Mode PowerGaN Transistor is a high-performance enhancement-mode transistor designed for demanding power conversion applications. Built on Gallium Nitride (GaN) technology, the STMicro SGT070R70HTO offers superior switching performance with a low on-resistance of 70mΩ and minimal gate charge, enabling high efficiency and reduced losses in high-frequency operations. With a 700V drain-source voltage rating, the transistor is ideal for applications such as power supplies, motor drives, and renewable energy systems. The device features robust thermal performance and is housed in a compact TO-LL package, making it suitable for designs where space and heat management are critical. Fast switching capability and low input capacitance contribute to improved system efficiency and power density, positioning the SGT070R70HTO as a strong choice for next-generation power electronics.