Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

GP2T020A120H

Name: SemiQ GP2T020A120H
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T020A120H
Price: 20.02 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

148-GP2T020A120H

Số nhà sản xuất:

GP2T020A120H

Nsx:

SemiQ

Mô tả:

SiC MOSFETs 1200V, 18mOhm, TO-247-4L MOSFET

Bảng dữ liệu:

GP2T020A120H Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về SemiQ GP2T020A120H

Có hàng: 30

Tồn kho:: 30 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$20.02	$20.02
	$16.47	$164.70
	$14.24	$1,708.80
1,020	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	SemiQ
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	119 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	18 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	216 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	564 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	SemiQ
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	19 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	26 S
Đóng gói:	Tube
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	5 ns
Sê-ri:	GP2T020A120
Số lượng Kiện Gốc:	30
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	38 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	17 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

GP2T020A120H Bảng dữ liệu (PDF)

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET can be combined with silicon carbide Schottky diodes to achieve optimal performance without the trade-offs made with Silicon devices. This MOSFET offers reduced switching losses, higher efficiency, reduced heat sink size, and increased power density. The GP2T020A120H MOSFET features high-speed switching, longer creepage distance, 564W power dissipation, and 800mJ single pulse avalanche energy. This MOSFET is ideal for designers working on EV charging, industrial controls, and HVAC systems. Typical applications include power factor correction, DC-DC converter primary switching, and synchronous rectification.