SCT4045DWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTL

Nsx:

Mô tả:
SiC MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC

Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCT4045DWAHRTL

Có hàng: 1,996

Tồn kho:
1,996 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
27 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1   Tối đa: 100
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$11.38 $11.38
$7.89 $78.90
$6.67 $667.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1000)
$6.67 $6,670.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm: MOSFET SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7
N-Channel
1 Channel
750 V
31 A
59 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
63 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
Nhãn hiệu: ROHM Semiconductor
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 10 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 9.3 S
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Sản phẩm: SiC MOSFETS
Loại sản phẩm: SiC MOSFETS
Thời gian tăng: 16 ns
Số lượng Kiện Gốc: 1000
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: SiC
Loại transistor: 1 N-Channel
Loại: Power MOSFET
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 27 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 5.1 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4045DWAHR AEC-Q101 N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is an automotive-grade device engineered for high-efficiency and high-reliability applications in harsh environments. With a drain-source voltage rating of 750V and a continuous drain current of 31A (at +25°C per chip), this dual MOSFET device offers a typical on-resistance of just 45mΩ per channel, enabling reduced conduction losses and improved thermal performance. Packaged in a compact TO-263-7LA configuration, the ROHM SCT4045DWAHR supports high-density designs and efficient thermal management.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.