Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Bạn gặp lỗi?

FF900R12ME7B11NPSA1

Name: Infineon FF900R12ME7B11NPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FF900R12ME7B11N1
Price: 251.88 USD
Availability: OutOfStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

726-FF900R12ME7B11N1

Số nhà sản xuất:

FF900R12ME7B11NPSA1

Nsx:

Infineon Technologies

Mô tả:

IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module

Bảng dữ liệu:

FF900R12ME7B11NPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về Infineon Technologies FF900R12ME7B11NPSA1

Sẵn có

Tồn kho:: 0

Bạn vẫn có thể mua sản phẩm này bằng đơn hàng dự trữ

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 20

Dự kiến 28/04/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 14

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$251.88	$251.88
	$214.68	$2,146.80
100	Báo giá

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	Infineon
Danh mục Sản phẩm:	Mô-đun IGBT
RoHS:	N
Sản phẩm:	IGBT Silicon Modules
Cấu hình:	Dual
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa:	1.2 kV
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát:	1.5 V
Dòng cực góp liên tục ở 25°C:	900 A
Dòng rò cực cổng-cực phát:	100 nA
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 40 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Đóng gói:	Tray
Nhãn hiệu:	Infineon Technologies
Loại sản phẩm:	IGBT Modules
Số lượng Kiện Gốc:	10
Danh mục phụ:	IGBTs
Công nghệ:	Si
Thương hiệu:	EconoDUAL
Mã Bí danh:	FF900R12ME7_B11 SP005422550

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

FF900R12ME7B11NPSA1 Bảng dữ liệu (PDF)

Product Catalogs

Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Mô-đun IGBT kép FF900R12ME7_B11

Mô-đun IGBT kép FF900R12ME7_B11 của Infineon Technologies có mô-đun IGBT7 TRENCHSTOP&trade đôi, 3 EconoDUAL™, NTC và công nghệ tiếp xúc PressFIT. Mô-đun IGBT này có mật độ nguồn cao, đầu nối được tăng cường và cảm biến nhiệt độ NTC tích hợp. Mô-đun FF900R12ME7_B11 có thiết kế tin cậy và dễ lắp ráp và tránh đấu song song với các mô-đun IGBT khác. Mô-đun IGBT này có thể được lưu trữ ở khoảng nhiệt độ -40°C đến 125°C. Mô-đun FF900R12ME7_B11 có khoảng cách trượt tối ưu cho ứng dụng 1500V PV và chân điều khiển pressFIT và đầu nối nguồn vặn ốc. Mô-đun IGBT này phù hợp để sử dụng trong các thiết bị điều khiển động cơ, giải pháp cho hệ thống năng lượng mặt trời, servo thúc đẩy, và các hệ thống UPS.

Industrial Drives

Infineon Industrial Drives offer a broad portfolio of efficient semiconductors optimized for motor drives. The designer can rely on Infineon intelligent power modules (IPMs) and discretes for smart designs in the low-power range. For medium-power drives, the Infineon EasyPIM™, EasyPACK™, and EconoPIM™ modules are the perfect match. Moving on to the high-power spectrum, EconoDUAL™ and PrimePACK™ are the solutions of choice. These are combined with the innovative .XT interconnection technology. PrimePACK modules can help designers overcome the overrating dilemma by extending the lifetime by raising thermal and power cycling capabilities.

IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules

Infineon Technologies IGBT7 E7 TRENCHSTOP™ Dual Configuration Modules are based on micro-pattern trench technology that reduces losses and offers high controllability. The cell concept is characterized by implementing parallel trench cells separated by sub-micron mesas in contrast to square trench cells. A specially optimized chip for industrial drive applications and solar energy systems provides low static losses, high power density, and soft switching. With a +175°C maximum operating temperature, the modules allow a significant increase in power density.

EconoDUAL™ 3 IGBT Modules

Infineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support currents ranging from 100A to 900A at various voltages, including 600V, 650V, 1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.