Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

SCT4018KRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KRC15
Price: 35.46 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-SCT4018KRC15

Số nhà sản xuất:

SCT4018KRC15

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

SiC MOSFETs TO247 1.2KV 81A N-CH SIC

Bảng dữ liệu:

SCT4018KRC15 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor SCT4018KRC15

Có hàng: 6

Tồn kho:: 6

Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Đang đặt hàng:: 450

Dự kiến 18/06/2026
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 27

Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$35.46	$35.46
	$26.40	$264.00
	$26.39	$11,875.50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET SiC
RoHS:
Kiểu gắn:	Through Hole
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-247-4
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	1.2 kV
Id - Dòng cực máng liên tục:	81 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	23.4 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4.8 V
Qg - Điện tích cực cổng:	170 nC
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 175 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	312 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	11 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	22 S
Đóng gói:	Tube
Sản phẩm:	MOSFET's
Loại sản phẩm:	SiC MOSFETS
Thời gian tăng:	21 ns
Số lượng Kiện Gốc:	450
Danh mục phụ:	Transistors
Công nghệ:	SiC
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	50 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	13 ns
Mã Bí danh:	SCT4018KR

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

SCT4018KRC15 Bảng dữ liệu

Specification Sheets

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

4th Generation N-Channel SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor 4th Generation N-Channel Silicon-Carbide (SiC) Power MOSFETs provide low on-resistances with improvements in the short-circuit withstand time. The 4th Generation SiC MOSFETs are easy to parallel and simple to drive. The MOSFETs feature fast switching speeds/reverse recovery, low switching losses, and a +175°C maximum operating temperature. The ROHM 4th Generation N-Channel SSiC Power MOSFETs support a 15V gate-source voltage that contributes to device power savings.

SCT4018KR N-Channel SiC Power MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KR N-Channel Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET is a robust device optimized for high-efficiency power conversion in demanding applications. With a drain-source voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 81A (at +25°C), the ROHM SCT4018KR delivers excellent performance in high-voltage environments. The device features a low typical on-resistance of 18mΩ and supports fast switching speeds, which significantly reduce switching losses and improve overall system efficiency. Housed in a TO-247-4L package, the SCT4018KR is well-suited for use in industrial power supplies, solar inverters, and motor drives. Leveraging the advantages of SiC technology, the SCT4018KR MOSFET offers superior thermal conductivity, high-temperature operation, and enhanced reliability, making it ideal for compact, high-performance power systems.