Latest Technologies in Power MOSFET & IGBT

STMicroelectronics offers the newest technologies in Power MOSFETs and IGBTs. ST offers a wide portfolio of MOSFETs and IGBTs tailored to specific applications, targeting SMPS, lighting, motor control, and varied industrial applications. ST's portfolio includes high-voltage super-junction MOSFETs, trench-gate field-stop IGBTs for hard and soft switched topologies, and low-voltage trench-based MOSFETs for power conversion and BLDC motor drives. ST's 1200V SiC MOSFETs combine a high junction temperature rating of 200°C with a very low RDS(on) area (with minimal variation versus temperature) and excellent switching performance for more efficient and compact SMPS designs. M series IGBTs offer an optimized VCE(SAT) and E(off) tradeoff along with a rugged short circuit rating for motor control. Explore ST's complete offering of MOSFETs and IGBTs for any power design.

Các loại Bộ Bán Dẫn Rời Rạc
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 314
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Loại sản phẩm
Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGB
Bảng dữ liệu
209Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 600 V 0.168 Ohm 18 A MDmesh M2
Bảng dữ liệu
255Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-262-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
Bảng dữ liệu
461Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
132Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
Bảng dữ liệu
127Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-251-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Bảng dữ liệu
591Dự kiến 01/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.79 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Bảng dữ liệu
Nhận xét sản phẩm
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 2,500
Nhiều: 2,500
Rulo cuốn: 2,500

MOSFETs Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGB
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 300

IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics MOSFETs N-CH 80V 17mOhm 180A STripFET VII
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000
Rulo cuốn: 1,000

MOSFETs Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 3,000
Nhiều: 3,000
Rulo cuốn: 3,000

MOSFETs Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-HV-5
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmeshV 710V
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 2.3 mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 26 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 800V .95Ohm 6A MDmesh K5
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 1,000
Nhiều: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3

STMicroelectronics MOSFETs N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics MOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 16 Tuần
Tối thiểu: 600
Nhiều: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3