1200V Dual IGBT Modules

Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, are EconoDUAL™ 3 1200V, 900A dual TRENCHSTOP™ IGBT7 Modules with emitter-controlled 7 diodes, NTC, and PressFIT contact technology. The IGBT Modules offer a higher inverter output current for the same frame size and avoidance of paralleling. The Infineon 1200V, Dual IGBT Modules, provide an easy and reliable assembly with high inter-connection reliability.

Kết quả: 11
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm
Cấu hình
Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa
Điện áp bão hòa cực góp-cực phát
Dòng cực góp liên tục ở 25°C
Dòng rò cực cổng-cực phát
Pd - Tiêu tán nguồn
Nhiệt độ làm việc tối thiểu
Nhiệt độ làm việc tối đa
Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
6Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 890 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 450 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
17Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 450 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF450R07ME4B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 650 V, 450 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
9Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 650 V 1.55 V 560 A 100 nA 1.45 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Bảng dữ liệu
20Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM
Bảng dữ liệu
12Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
19Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 995 A 400 nA 4.05 kW - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT Module
Bảng dữ liệu
12Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 600 A 400 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
18Có hàng
20Dự kiến 06/05/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 900 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
10Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 900 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 750 A dual IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 14 Tuần
Tối thiểu: 10
Nhiều: 10

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.5 V 750 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP100R12N3T7BPSA1
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 100 A PIM IGBT module
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 12 Tuần
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

Tray