TP65H070G4RS-TR

Renesas Electronics
227-TP65H070G4RS-TR
TP65H070G4RS-TR

Nsx:

Mô tả:
GaN FETs 650V, 70mohm GaN FET in TOLT

Tuổi thọ:
Mới tại Mouser
Bảng dữ liệu:
Mô hình ECAD:
Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.
Thêm Thông tin
Tìm hiểu thêm về Renesas Electronics TP65H070G4RS-TR

Có hàng: 1,696

Tồn kho:
1,696 Có thể Giao hàng Ngay
Thời gian sản xuất của nhà máy:
16 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.
Tối thiểu: 1   Nhiều: 1
Đơn giá:
$-.--
Thành tiền:
$-.--
Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng Đơn giá
Thành tiền
$7.97 $7.97
$5.42 $54.20
$4.18 $418.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 1300)
$3.41 $4,433.00

Đặc tính Sản phẩm Thuộc tính giá trị Chọn thuộc tính
Renesas Electronics
Danh mục Sản phẩm: FET GaN
RoHS:  
SMD/SMT
TOLT-16
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
85 mOhms
- 20 V, + 20 V
4.8 V
9 nC
- 55 C
+ 150 C
96 W
Enhancement
SuperGaN
Nhãn hiệu: Renesas Electronics
Cấu hình: Single
Thời gian giảm: 7.2 ns
Nhạy với độ ẩm: Yes
Đóng gói: Reel
Đóng gói: Cut Tape
Loại sản phẩm: GaN FETs
Thời gian tăng: 6.2 ns
Sê-ri: Gen IV SuperGaN
Số lượng Kiện Gốc: 1300
Danh mục phụ: Transistors
Công nghệ: GaN
Thời gian trễ khi tắt điển hình: 56 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình: 43.4 ns
Đã tìm thấy các sản phẩm:
Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô
Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.
Các thuộc tính đã chọn: 0

Bảng dữ liệu

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CNHTS:
8541290000
ECCN:
EAR99

Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT

Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN® FET in TOLT features an on-resistance RDS(on) of 72mΩ typical in a top-side-cooled, surface-mount TOLT package that meets the JEDEC standard MO-332. The TOLT package offers thermal management flexibility, especially in systems that do not allow for conventional surface-mount devices with bottom-side cooling. The TP65H070G4RS is a normally-off device that combines low-voltage silicon MOSFET and high-voltage GaN HEMT technologies to deliver superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform leverages advanced epitaxial (epi) and patented design technologies to streamline manufacturability and enhance efficiency compared to silicon. It achieves this by reducing gate charge, crossover loss, output capacitance, and reverse recovery charge. Renesas Electronics TP65H070G4RS 650V SuperGaN TOLT FET is ideal for datacom, industrial, computing, and other applications.

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến.


Bạn có câu hỏi? Vui lòng truy cập Trung tâm Trợ giúp.
Để hỏi về một đơn hàng cụ thể, vui lòng đăng nhập vào tài khoản của bạn.

Nếu bạn gặp thêm vấn đề, vui lòng liên hệ với chúng tôi theo số 800-346-6873 hoặc gửi email tới help@mouser.com.