Lỗi xuất hiện khi bạn tắt JavaScript trên trình duyệt. Một số chức năng trên trang này sẽ không hoạt động trừ khi bạn đăng nhập.

Quay lại Kết quả Tìm kiếm

Bạn gặp lỗi?

RJ1N04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1N04BBHTL1
Price: 4.26 USD
Availability: InStock

Hình ảnh chỉ để tham khảo
Xem Thông số kỹ thuật sản phẩm

Mã của Mouser

755-RJ1N04BBHTL1

Số nhà sản xuất:

RJ1N04BBHTL1

Nsx:

ROHM Semiconductor

Mô tả:

MOSFETs Nch 80V 100A, TO-263AB, Power MOSFET

Tuổi thọ:

Sản phẩm Mới:

Mới từ nhà sản xuất này.

Bảng dữ liệu:

RJ1N04BBHTL1 Bảng dữ liệu

Mô hình ECAD:

Tải xuống Thư viện Tải miễn phí để chuyển đổi tệp tin này cho Công cụ ECAD của bạn. Tìm hiểu thêm về Mô hình ECAD.

Thêm Thông tin

Tìm hiểu thêm về ROHM Semiconductor RJ1N04BBHTL1

Có hàng: 772

Tồn kho:: 772 Có thể Giao hàng Ngay

Đã xảy ra lỗi ngoài dự kiến. Vui lòng thử lại sau.
Thời gian sản xuất của nhà máy:: 18 Tuần Thời gian sản xuất tại nhà máy dự kiến để có số lượng lớn hơn mức hiển thị.

Thời gian giao hàng lâu được báo cáo trên sản phẩm này.

Nhập số lượng:

Tối thiểu: 1 Nhiều: 1

Đơn giá:

$-.--

Thành tiền:

$-.--

Dự kiến Thuế quan:

Giá (USD)

Số lượng	Đơn giá	Thành tiền
	$4.26	$4.26
	$2.80	$28.00
	$2.10	$210.00
	$1.86	$930.00
Toàn bộ Cuộn (Đơn hàng theo bội số của 800)
	$1.65	$1,320.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Đặc tính Sản phẩm	Thuộc tính giá trị	Chọn thuộc tính
Nhà sản xuất:	ROHM Semiconductor
Danh mục Sản phẩm:	MOSFET
RoHS:
Công nghệ:	Si
Kiểu gắn:	SMD/SMT
Đóng gói / Vỏ bọc:	TO-263AB-3
Cực tính transistor:	N-Channel
Số lượng kênh:	1 Channel
Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn:	80 V
Id - Dòng cực máng liên tục:	100 A
Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn:	5.3 mOhms
Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn:	20 V
Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn:	4 V
Qg - Điện tích cực cổng:	46 nC
Nhiệt độ làm việc tối thiểu:	- 55 C
Nhiệt độ làm việc tối đa:	+ 150 C
Pd - Tiêu tán nguồn:	89 W
Chế độ kênh:	Enhancement
Đóng gói:	Reel
Đóng gói:	Cut Tape
Nhãn hiệu:	ROHM Semiconductor
Cấu hình:	Single
Thời gian giảm:	38 ns
Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu:	20 S
Loại sản phẩm:	MOSFETs
Thời gian tăng:	14 ns
Số lượng Kiện Gốc:	800
Danh mục phụ:	Transistors
Loại transistor:	1 N-Channel
Thời gian trễ khi tắt điển hình:	65 ns
Thời gian trễ khi bật điển hình:	30 ns

Đã tìm thấy các sản phẩm:

Để hiển thị sản phẩm tương tự, hãy chọn ít nhất một ô

Chọn ít nhất một hộp kiểm ở trên để hiển thị các sản phẩm tương tự trong danh mục này.

Các thuộc tính đã chọn: 0

Lọc tài liệu:

Bảng dữ liệu

RJ1N04BBHTL1 Bảng dữ liệu

Other

Chức năng này cần phải bật JavaScript.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RJ1N04BBH N-Ch Power MOSFET

ROHM Semiconductor RJ1N04BBH N-Ch Power MOSFET offers an 80V drain-source voltage with low on-resistance. The device features a ±100A continuous drain current and 89W power dissipation. The RJ1N04BBH is suitable for many applications, including switching, motor drives, and DC/DC converters. The ROHM RJ1N04BBH MOSFET is available in a high-power TO263AB package.

125°C I2C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive

ROHM Semiconductor 125°C I²C BUS EEPROMs for 2-Wire Automotive are AEC-Q100 qualified. The ROHM I²C BUS EEPROMs feature two ports of Serial Clock (SCL) and Serial Data (SDA) that all controls are available through. The EEPROMs operate from a wide limit of 1.7V to 5.5V, with a possible 1MHz operation.