1200V Common Emitter IGBT Modules

Infineon Technologies 1200V Common Emitter IGBT Modules are part of the TRENCHSTOP™ IGBT7 portfolio that combines a 600A or 800A common emitter with low saturation and a fast trench IGBT module with an emitter-controlled diode. The 1200V Common Emitter IGBT Modules provide higher current capability in existing packages, allowing an increase in inverter output power with the same frame size. The Infineon 1200V Common Emitter IGBT Modules supply high power density, reliability, and flexibility, prepared for three-level configuration.

Kết quả: 2
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng Nsx Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn. Số lượng RoHS Mô hình ECAD Sản phẩm Cấu hình Điện áp cực góp-cực phát VCEO tối đa Điện áp bão hòa cực góp-cực phát Dòng rò cực cổng-cực phát Nhiệt độ làm việc tối thiểu Nhiệt độ làm việc tối đa Đóng gói
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module 26Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies IGBT Modules 1200 V, 800 A common emitter IGBT module 13Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.75 V 100 nA - 40 C + 175 C Tray