High Voltage Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs

IXYS High Voltage Series 2500V to 3600V Reverse Conducting (BiMOSFET™) IGBTs combine the strength of both MOSFETs and IGBTs. These high-voltage devices feature a positive voltage temperature coefficient of both of its saturation voltage and the forward voltage drop of its intrinsic diode, making them ideal for parallel operation. The “free” intrinsic body diode serves as a protection diode, providing an alternative path for the inductive load current during device turn-off, preventing high Ldi/dt voltage transients from inflicting damage to the device.

Các loại Transistor
Thay đổi chế độ xem danh mục
Kết quả: 19
Chọn Hình ảnh Số Phụ tùng
 Nsx
Mô tả Bảng dữ liệu Sẵn có Giá (USD) Lọc kết quả trong bảng theo đơn giá dựa trên số lượng của bạn.
Số lượng RoHS Loại sản phẩm
Công nghệ
Kiểu gắn
Đóng gói / Vỏ bọc
IXYS IGBTs 3600V/125A Reverse Conducting IGBT
Bảng dữ liệu
448Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-PLUS-HV-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 42A IGBT
Bảng dữ liệu
2,787Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)

IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Bảng dữ liệu
281Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

IXYS IGBTs PLUS247 2500V 25A IGBT
Bảng dữ liệu
224Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs 3600V/45A Reverse Conducting IGBT
Bảng dữ liệu
307Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 2500V 42A HI GAIN
Bảng dữ liệu
334Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247AD-3
IXYS IGBTs TO268 3KV 12A BIMOSFET
Bảng dữ liệu
277Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT D3PAK-3 (TO-268-3)


IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt TO-247AD
Bảng dữ liệu
127Có hàng
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs TO268 2500V 2A IGBT
Bảng dữ liệu
8Có hàng
720Dự kiến 11/03/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si SMD/SMT TO-247-3
IXYS IGBTs TO264 3KV 55A BIMOSFET
Bảng dữ liệu
1,275Dự kiến 22/07/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3

IXYS IGBTs TO247 3KV 12A IGBT
Bảng dữ liệu
300Dự kiến 01/04/2026
Tối thiểu: 1
Nhiều: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
IXYS IGBTs Disc IGBT BiMSFT-VeryHiVolt I4-PAK ISO+
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 27 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS IGBTs ISOPLUS 3KV 22A IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 34 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-3
IXYS MOSFETs ISOPLUS 3KV 24A DIODE
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 57 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

MOSFETs Si Through Hole ISOPLUS-i4-PAK-3
IXYS IGBTs High Voltage High Gain BIMOSFET
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 57 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i4-PAC-3
IXYS IGBTs TO247 3KV 10A IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 57 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247HV-3
IXYS IGBTs BIMOSFET 2500V 75A
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 80 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole TO-264-3
IXYS IGBTs 3600V/92A Rev Conducting IGBT
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 39 Tuần
Tối thiểu: 25
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3
IXYS IGBTs MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK
Bảng dữ liệu
Thời gian giao Sản phẩm không Lưu kho 57 Tuần
Tối thiểu: 300
Nhiều: 25

IGBT Transistors Si Through Hole ISOPLUS i5-PAC-3